一、个人基本情况
张庆芳，女，汉族，1988年9月生，工学博士，副教授，硕士生导师。主要从事应变半导体中红外光电子、气敏材料及新型磁电传感器的相关科研，主持国家自然科学基金项目1项，河南省教育厅高等学校重点科研项目1项，参与国家自然科学基金项目3项。以第一作者发表SCI/EI索引收录学术论文10余篇，第一发明人授权专利2项。
二、承担课程
本科生：《电力系统分析I》《电力系统分析II》《电力系统继电保护原理》《智能电网信息工程专业导论》等
研究生：《现代传感技术》
三、研究方向
中红外光电子与气敏传感技术研究
四、近年科研项目、代表性论著、发明专利、荣誉与获奖
1.科研项目
[1]国家自然科学基金青年基金，锗锡合金光发射的应变增强研究，2021.1-2023.12，24万，主持.
[2] 河南省高等学校重点科研项目资助计划，IV族硅锗锡/锗锡异质结中红外发光的应变增强研究，2020.01-2021. 12，3万元，主持.
[3]国家自然科学基金面上项目，多通道分布式甚低频磁电机械天线收发系统构建与集成关键技术研究，2025.01- 2028.12,50万，第二参与。
[4]国家自然科学基金面上项目，纳米磁电异质结构的高效无线回旋效应与器件构筑研究,2020.01-2023.12,63万，第三参与。
[5]国家自然科学基金青年基金，基于局域表面等离子共振的高灵敏荧光增强型适体传感器性能研究，2019.1-2021.12，24万，第四参与。
2.代表性论著
[1]Qingfang Zhang*, Wenxiang Lu, Jitao Zhang, Qianyu Chen, Pei Zhang,Zirui Qin, Lingzhi Cao and Genquan Han，Design of tensile-strained GeSn/SiGeSnstructure for low threshold mid-infraredlaser application[J].J. Phys. D: Appl. Phys., 2024, 57:385111.
[2]Jitao Zhang*, Zicheng Jia, Qingfang Zhang*, Natallia Poddubnaya, Dmitry Filippov,Jiagui Tao, Fang Wang, Liying Jiang, Lingzhi Cao, Low-frequency magnetoelectric capacitively-coupled receiving antenna with enhanced transmission stabilities under low input power density[J].J. Magn. Magn. Mater. 2024, 593:171839.
[3] Qingfang Zhang*, Qianyu Chen, Jitao Zhang, Wenxiang Lu, Pei Zhang,Zirui Qin, Lingzhi Cao and Genquan Han，Theoretical investigation of strain-adjustable Ge0.92Sn0.08 light-emitting diodes with giant magnetostrictive stressor for short-wave infrared light source[J]. IEEE Photonics Journal, 2023, 15(1):2200306.
[4] Qingfang Zhang*, Qianyu Chen, Jitao Zhang, Wenxiang Lu, Pei Zhang,Zirui Qin, Lingzhi Cao and Genquan Han，Design of strain-adjustable Si0.1Ge0.78Sn0.12-Ge0.90Sn0.10-Si0.012Ge0.848Sn0.14 double-heterostructure SWIR photodetectors with giant magnetostrictive stressor[C]. Proc. SPIE, 2023, 12565:125653H1-10.
[5] Qingfang Zhang*, Yingang Gui*, Han Qiao, Xianping Chen, Lingzhi Cao，Theoretical study of SF6 decomposition products adsorption on metal oxide cluster-modified single-layer graphene[J]. Journal of Industrial and Engineering Chemistry, 2022, 105:278-290.
[6] Qingfang Zhang, Yan Liu, Genquan Han*, Yao Shao, Xi Gao, Chunfu Zhang, Jincheng Zhang, and Yue Hao, “Theoretical analysis of performance enhancement in GeSn/SiGeSn light emitting diode enabled by Si3N4 liner stressor technique”, Applied Optics, 2016, 55(34): 9668-9674.
[7] Qingfang Zhang, Yan Liu*, Jing Yan, Chunfu Zhang, Qingzhong Huang, Yue Hao, and Genquan Han*, “Tensile-strained mid-infrared GeSn detectors wrapped in Si3N4 liner stressor: Theoretical investigation of impact of device architectures”, IEEE Photonics Journal, 2015, 7(6): 6803208.
[8] Qingfang Zhang, Yan Liu*, Jing Yan, Chunfu Zhang, Yue Hao, and Genquan Han*, “Theoretical investigation of tensile strained GeSn waveguide with Si3N4 liner stressor for mid-infrared detector and modulator applications”, Optics Express, 2015, 23(6): 7924-7932.
[9] Qingfang Zhang, Yan Liu*, Jing Yan, Chunfu Zhang, Yue Hao, and Genquan Han*, “Simulation investigation of tensile strained GeSn fin photodetector with Si3N4 liner stressor for extension of absorption wavelength”, Optics Express, 2015, 23(2): 739-746.
[10] Genquan Han*, Qingfang Zhang, Yan Liu, Chunfu Zhang, and Yue Hao, “GeSn/SiGeSn photonic devices for mid-infrared applications: Experiments and calculations”, Proc. of SPIE, vol. 10026, pp.100260T-1-100260T-8, 2016.
[11] 张庆芳, 韩根全*, 刘艳, 张春福, 成步文, 郝跃 “高迁移率Ge0.92Sn0.08非掺杂量子阱 pMOSFET,” 第九届全国硅基光电子材料及器件研讨会, 中国，武汉, 2014.6.22-6.25.
3.发明专利
[1] 张庆芳, 卢温翔, 张吉涛, 陈芊羽, 张培, 秦自瑞, 曹玲芝, 带有张应变薄膜的中红外GeSn发光器. 发明专利, 专利号：ZL 2022109116671.授权时间：2024.05.
[2]张庆芳, 李康, 张吉涛, 王晓雷, 曹玲芝, 韩根全. 带有磁应变源的自调试GeSn红外探测器及其制备方法，发明专利, 专利号：ZL 2018 1 0998916. 9.授权时间：2019, 09.
[3] 张吉涛，张庆芳，陈冬雨，陶加贵，曹玲芝, 一种基于磁电功率器件的无线电能传输系统，发明专利, 专利号：ZL202021777829.X授权时间：2021.02.
[4] 张吉涛，张庆芳，陈冬雨，李康，朱威威，姜利英，王晓雷，耿盛涛，郑晓婉，曹玲芝, 一种基于生物辅助自组装的磁电纳米复合材料的制备方法，发明专利, 专利号：ZL201810991449.7.授权时间：2021.11.
[5] 张吉涛，李康，张庆芳，赵艺芳，陶加贵，武洁，曹玲芝, 一种采用磁场触发的磁电数据触发器及其实现方法，发明专利, 专利号：ZL202010988774.5.授权时间：2022.10.
[6] 张吉涛，李康，张庆芳，陶加贵，武洁，陈冬雨，张培，姜利英，曹玲芝, 一种具有自放大能力的磁电薄膜传感器，发明专利, 专利号：ZL201910909812.0. 授权时间：2022.09.
[7]刘艳, 韩根全, 张庆芳, 王轶博. 带有应变源的GeSn红外探测器, 发明专利, 专利号：ZL 2014 1 0185529. 5. 授权时间：2015, 06.
[8] 刘艳, 韩根全, 张庆芳, 王轶博. 带有应变源的GeSn量子阱红外发光器, 发明专利, 专利号：ZL 2014 1 0185612. 2. 授权时间：2015, 06.
[9] 张吉涛, 王晓雷, 郑晓婉, 张庆芳, 朱威威, 曹玲芝，一种磁电回旋器及其功率转换效率测量装置，发明专利, 专利号：ZL 2017 1 0493933.2. 授权时间：2019, 11.
[10] 刘艳, 韩根全, 赵斌，张庆芳, 带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法, 发明专利, 专利号：ZL 2014 1 0244666. 1. 授权时间：2016, 10.
[11] 刘艳, 韩根全, 赵斌，张庆芳, 带有压应变薄膜应变源的双栅p沟道MOSFET及制备方法, 发明专利, 专利号：ZL 2014 1 0244145. 6. 授权时间：2017, 03.
4.荣誉与获奖
[1] 外场调控的光/磁电动能材料及器件, 河南省教育厅，科技成果奖一等奖，2019年，第三.
[2] 外场调控的磁/光功能电子器件及其传感/换能特性, 河南省人民政府，科技进步二等奖，2020年，第四.