2020年10月20日，应我校电气信息工程学院邀请，西安电子科技大学韩根全教授来我院进行学术交流，在学术交流期间，韩根全教授做了“Some Devices for Post-Moore Era: Logic, Memory, and Power Transistors”的学术报告。报告在西二楼301会议室举行，副院长和萍主持，参与学术报告的还有我院及物理学院相关学科教师和研究生。
围绕“Some Devices for Post-Moore Era: Logic, Memory, and Power Transistors”，韩根全教授针对当前我国面临的芯片卡脖子问题切入，针对“摩尔定律”失效后的“后摩尔时代”，讲述了自己带领团队在“后摩尔新器件”方面针对重要科学问题、寻找有创新性和有生命力的科研方向，做系统性的研究，并且要早出成果。首先，给大家介绍了CMOS工艺从90 nm到现在1~2 nm的国内外发展历程，我国10 nm节点以后受制于EUV光刻机的原因，并引入带领团队原始创新发明、发展高迁移率GeSn沟道晶体管的相关工作；然后，给大家讲述了他们“独辟蹊径推动负电容晶体管从概念到器件实现”方面的科研思路，与在科研方面对一些科学现象的抓取与把握方式；接着，从内存架构发展历程引入在新型非易失存储器方面的相关工作：“Non-Volatile FETs with amorphous (Al2O3, HfO2, ZrO2 etc.) Gate Insulators”，并通过自己在“Ga2O3 Power Transistors”的科研实例告诉大家基础科研扎实及科研过程中交叉思维的重要性。最后，韩根全教授用“踏踏实实做事，不要计较一时得失；全身心投入，勤奋最重要”总结了自己的科研心得。
报告结束后，韩根全教授与师生们在活跃的气氛中展开了讨论与交流。
附：韩根全教授简介
韩根全，博士，西安电子科技大学教授。2020年国家杰出青年科学基金答辩通过，2019获批国家重点研发计划项目首席科学家，2019年获得陕西省青年科技奖和电子学会优秀毕业论文优秀导师奖。
韩根全教授本科毕业于清华大学材料科学与工程专业，2003年保送到半导体所直博研究生。2008年毕业后加入新加坡国立大学从事高端CMOS器件研究工作，期间带领一个团队在高迁移率GeSn沟道MOSFET器件研制方面取得了国际领先的原创性研究成果，被Semiconductor Today等网站多次转载报道。2013年回国到现在主要从事后摩尔新型微电子器件和研究。
韩根全教授围绕后摩尔新型微电子器件和芯片取得了一系列重要研究成果，在微电子器件重要会议IEEE International Electron Devices Meeting/IEEE Symposium on VLSI Technology和IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Electron Devices等微电子器件旗舰期刊发表SCI论文200多篇。韩根全科研团队现有研究生30多名，通过与加州伯克利Tsu-Jae King教授（美国工程院院士）、意大利乌迪内大学Esseni教授（IEEE Fellow）、新加坡国立大学等国际团队合作，在科学研究和人才培养方面成绩斐然。韩根全主持科研经费超过4000万，包括科技部重点研发计划项目、自然科学基金重点项目、优秀青年项目、面上项目等，近五年，多次担任国际会议Committee 和Session Chair。申请人目前为IEEE Electron Device Letters编辑（大陆唯一）。同时，申请人指导的学生获得研究生国家奖学金14次（2014-2019年）
韩根全教授正在开展的研究方向：
(1）后摩尔先进CMOS器件和芯片
(2）类脑芯片算法，架构和芯片研发
(3）超宽禁带Ga2O3功率器件
(4）硅基光子芯片和光电融合技术